机译:许多层MOS_2场效应晶体管中的低频噪声的信道与联系方式的转变
Purdue Univ Sch Elect & Comp Engn W Lafayette IN 47907 USA|Purdue Univ Birck Nanotechnol Ctr W Lafayette IN 47907 USA;
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Sandia Natl Labs Albuquerque NM 87185 USA;
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Kansas State Univ Dept Ind & Mfg Syst Engn Manhattan KS 66506 USA|Kansas State Univ Dept Elect & Comp Engn Manhattan KS 66506 USA;
Purdue Univ Sch Elect & Comp Engn W Lafayette IN 47907 USA|Purdue Univ Birck Nanotechnol Ctr W Lafayette IN 47907 USA;
机译:多层MoS_2场效应晶体管中低频噪声的通道和接触状态之间的过渡
机译:MoS_2晶体管中的低频1 / f噪声:通道和触点的相对贡献
机译:MOLYBDDEN接触MOS_2场效应晶体管:肖特基势垒提取,电气输送和低频噪声
机译:从肖特基障碍的过渡到碳纳米管场效应晶体管低噪声的通道传输制度
机译:金属氧化物半导体场效应晶体管中低频噪声的表征。
机译:电流拥挤介导的石墨烯场效应晶体管中的大接触噪声
机译:alGaN / GaN异质结中的低频噪声场效应晶体管和金属氧化物半导体异质结构场效应晶体管