机译:应变松弛InCaN在微米尺寸的图案化顺应性CaN伪衬底上的生长
Department of Electrical and Computer Engineering University of California Santa Barbara Santa Barbara California 93106 USA;
Materials Department University of California Santa Barbara California 93106 USA;
Department of Physics University of California Santa Barbara California 93106 USA;
Department of Electrical and Computer Engineering University of California Santa Barbara Santa Barbara California 93106 USA Materials Department University of California Santa Barbara California 93106 USA;
机译:符合Gan-On-PON-GaN伪基板上的颜色可调<10μm平方英米微LED
机译:顺应性多孔硅模板层上的超薄平面全弛豫Ge伪衬底
机译:顺应性多孔硅模板层上的超薄平面全弛豫Ge伪衬底
机译:In / sub 0.25 / Ga / sub 0.75 / As伪衬底上In / sub x / Ga / sub 1-x / As的外延生长
机译:同质外延期间生长模式对图案化砷化镓(001)的温度依赖性;不稳定增长的原子尺度机制。
机译:利用多孔GaN的符合标准的微米级图案化InGaN伪衬底
机译:In0.25Ga0.75As伪衬底上InxGa1-xAs和InxAl1-xAs的标准外延生长
机译:应用于图案/柔顺基板上的应变半导体外延的一些新型原位研究