机译:HfO_xN_y / HfO2 / HfO_xN_y夹层栅电介质的基于IGZO通道的突触晶体管的双极可塑性
Shandong Univ Shenzhen Res Inst Shenzhen 518057 Peoples R China|Ningbo Polytech Coll Mech & Elect Engn Ningbo 315800 Zhejiang Peoples R China;
Shandong Univ Shenzhen Res Inst Shenzhen 518057 Peoples R China|Chinese Acad Sci Inst Microelect Key Lab Microelect Devices & Integrated Technol Beijing 62007699 Peoples R China;
机译:具有HfO_xN_y和HfO_2栅极电介质的非晶InGaZnO薄膜晶体管的比较研究
机译:HfO_xN_y栅极电介质的厚度调制光学介电常数和能带对准
机译:使用高k配混ZrO2 / hfO2纳米烷基栅极介质改善IGZO薄膜晶体管的栅极偏压稳定性
机译:具有高κHFO_XN_Y栅极电介质的无定形Ingazno MOS电容器的电气特性研究
机译:基于N沟道InGaAsP-InP的倒置通道技术器件(ICT)的设计,制造和表征,用于光电集成电路(OEIC):双异质结光电开关(DOES),异质结场效应晶体管(HFET),双极倒置沟道场-效应晶体管(BICFET)和双极型反向沟道光电晶体管(BICPT)。
机译:电子束沉积栅极电介质对a-IGZO薄膜晶体管的沟道宽度相关性能和可靠性的比较研究
机译:超薄al 2 sub> O 3 sub>栅极介质实现IGZO薄膜晶体管的低压工作