Erratum: 'A GaN-SiC hybrid material for high-frequency and power electronics' [Appl. Phys. Lett. 113, 041605 (2018)]

Chen Jr-Tai; Bergsten Johan; Lu Jun; Janzen Erik; Thorsell Mattias; Hultman Lars; Rorsman Niklas; Kordina Olof

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【24h】

Erratum: 'A GaN-SiC hybrid material for high-frequency and power electronics' [Appl. Phys. Lett. 113, 041605 (2018)]

机译：勘误表：“一种用于高频和电力电子的GaN-SiC混合材料” [Appl。物理来吧113，041605（2018）]

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《Applied Physics Letters》 |2018年第7期|079903.1-079903.1|共1页
作者
Chen Jr-Tai; Bergsten Johan; Lu Jun; Janzen Erik; Thorsell Mattias; Hultman Lars; Rorsman Niklas; Kordina Olof;
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收录信息美国《科学引文索引》(SCI);美国《工程索引》(EI);美国《生物学医学文摘》(MEDLINE);
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