机译:高性能InGaN双通道高电子迁移率晶体管,在通道之间具有强大的耦合效应
China Elect Prod Reliabil & Environm Testing Res, 110 Dongguanzhuang Rd, Guangzhou 510610, Guangdong, Peoples R China;
Xidian Univ, Sch Aerosp Sci & Technol, 2 South TaiBai Rd, Xian 710071, Shaanxi, Peoples R China;
Xidian Univ, Sch Microelect, State Key Discipline Lab Wide Band Gap Semicond T, 2 South TaiBai Rd, Xian 710071, Shaanxi, Peoples R China;
机译:具有增强的线性度和高温性能的InGaN沟道高电子迁移率晶体管
机译:新型InGaP-InGaAs-GaAs双通道拟态高电子迁移率晶体管(DC-PHEMT)的改进的温度相关性能
机译:Goatelength对高频应用的InGaAs / InAs / InGaAs复合通道双材料双栅极高电子移动性晶体管装置的影响
机译:双通道高电子迁移率晶体管,用于增强射频/微波应用中的线性度
机译:基于N沟道InGaAsP-InP的倒置通道技术器件(ICT)的设计,制造和表征,用于光电集成电路(OEIC):双异质结光电开关(DOES),异质结场效应晶体管(HFET),双极倒置沟道场-效应晶体管(BICFET)和双极型反向沟道光电晶体管(BICPT)。
机译:AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管中的电流崩塌是否可能源于沟道电子的能量弛豫?
机译:具有不同势垒的InGaN沟道异质结构场效应晶体管结构中的电子迁移率