机译:直流溅射TlBa_2Ca_2Cu_3O_(9±δ)超导薄膜中临界电流密度的提高
Institute of Electrophysics, National Chiao-Tung University, Hsinchu, Taiwan, Republic of China;
机译:界面应变引起的氧紊乱是超导薄膜中临界电流密度增加的原因
机译:200 MeV Ag〜(+15)离子辐照产生柱状缺陷并提高La-2125型超导薄膜的临界电流密度
机译:通过冷却在不均匀磁场中通过冷却增强Nb超导薄膜中的有效临界电流密度
机译:取决于电场的临界电流密度的超导薄膜的断裂行为
机译:晶体各向异性,掺杂,孔隙率和连接性对超导二硼化镁块,线和薄膜的临界电流密度的影响。
机译:FeO包覆的MgB2薄膜在高磁场下的临界电流密度的提高
机译:200 meV ag + 15离子辐照产生柱状缺陷并增强 La-2125型超导薄膜的临界电流密度
机译:Y1B2Cu3O(7-x)薄超导薄膜的临界电流密度,j(sub c),临界温度,T(sub c)和结构质量之间的相关性