机译:实时原位分析和碰撞计算机模拟研究磁控溅射过程中靶材中毒的机理
Institute of Ion Beam Physics and Materials Research, Forschungszentrum Rossendorf, P.O. Box 510119, 01314 Dresden, Germany;
机译:具有两个腐蚀区的磁控溅射装置中石墨靶溅射的计算机模拟
机译:磁控溅射中目标中毒进化的原位评估
机译:DC磁控溅射系统靶侵蚀效果研究的曲线边界粒子细胞仿真
机译:直流磁控溅射沉积初期靶中毒对界面层生长的影响
机译:溅射靶腐蚀及其对长时间直流磁控溅射镀膜的影响
机译:磁控溅射高熵膜的生长机理及沉积参数对结构和性能的影响
机译:两区侵蚀磁控溅射装置石墨靶溅射的计算机模拟