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机译:(In,Al)GaN量子阱激光器的增益和载流子引起的折射率谱变化的激子签名
Univ Regensburg, Inst Angew & Expt Phys, D-93040 Regensburg, Germany;
PIEZOELECTRIC FIELDS; OPTICAL GAIN; DIODES; DEGRADATION;
机译:量子点和量子阱激光器中载流子诱导的折射率,增益和线宽增强因子的比较
机译:自由载流子等离子体效应对量子阱激光器中载流子诱导的折射率变化的影响
机译:增益和载流子折射率的宽光谱特性与所测量的放大自发发射光谱的关系
机译:III族氮化物量子阱中增益和载流子引起的折射率变化
机译:砷化镓和砷化铟镓广域量子阱激光器中增益,折射率和线宽增强因子的外延结构依赖性。
机译:Eu注入和退火对GaN量子点激子复合的影响
机译:垂直腔表面发射激光器的量子阱增益和折射率光谱的解析近似,包括单轴平面应力的影响
机译:体和量子阱半导体激光器的增益和折射率光谱中的多体效应。