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Conference on Novel In-Plane Semiconductor Lasers, Jan 21-23, 2002, San Jose, USA
Conference on Novel In-Plane Semiconductor Lasers, Jan 21-23, 2002, San Jose, USA
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1.
High performance quantum cascade lasers: physics and applications
机译:
高性能量子级联激光器:物理和应用
作者:
Jerome Faist
;
Daniel Hofstetter
;
Mattias Beck
;
Thierry Aellen
;
Michel Rochat
;
Stephane Blasen
会议名称:
《Conference on Novel In-Plane Semiconductor Lasers, Jan 21-23, 2002, San Jose, USA》
|
2002年
关键词:
laser;
intersubband;
mid-infrared;
quantum cascade;
2.
Low Threshold GaInNAsSb Quantum Well Lasers
机译:
低阈值GaInNAsSb量子阱激光器
作者:
Hitoshi Shimizu
;
Casimirus Setiagung
;
Kouji Kumada
;
Akihiko Kasukawa
会议名称:
《Conference on Novel In-Plane Semiconductor Lasers, Jan 21-23, 2002, San Jose, USA》
|
2002年
关键词:
GaInNAsSb;
GaInNAs;
1.3μm;
GSMBE;
3.
980 nm quantum dot lasers for high-power applications
机译:
980 nm量子点激光器,用于大功率应用
作者:
Frank Klopf
;
Stefan Deubert
;
Johann Peter Reithmaier
;
Alfred Forchel
;
Philippe Collot
;
Michel Krakowski
会议名称:
《Conference on Novel In-Plane Semiconductor Lasers, Jan 21-23, 2002, San Jose, USA》
|
2002年
关键词:
quantum dot lasers;
high power lasers;
gain characteristics;
temperature-induced wavelength-shift;
4.
Active Photonic Lattices for High-Coherent-Power Generation
机译:
用于高相干功率产生的有源光子晶格
作者:
D. Botez
会议名称:
《Conference on Novel In-Plane Semiconductor Lasers, Jan 21-23, 2002, San Jose, USA》
|
2002年
关键词:
semiconductor laser;
active photonic lattice (APL) lasers;
surface-emitting lasers;
coherent diode lasers;
5.
Tunable picosecond pulses from gain-switched grating coupled surface emitting laser
机译:
来自增益切换光栅耦合表面发射激光器的可调皮秒脉冲
作者:
Oleg Smolski
;
Jun Jiang
;
Chandra Roychoudhuri
;
Efim Portnoi
;
George Venus
;
Jeff Bullington
会议名称:
《Conference on Novel In-Plane Semiconductor Lasers, Jan 21-23, 2002, San Jose, USA》
|
2002年
关键词:
external-cavity lasers;
grating couplers;
surface emitting laser;
wavelength tuning;
short pulse generation;
semiconductor laser;
6.
Novel hybrid Ⅲ-Ⅴ/Ⅱ-Ⅵ mid-infrared laser structures with high asymmetric band offset confinements
机译:
具有高不对称带偏移限制的新型混合Ⅲ-Ⅴ/Ⅱ-Ⅵ中红外激光结构
作者:
Yury P. Yakovlev
;
Sergei V. Ivanov
;
Konstantin D. Moiseev
;
Andrei M. Monakhov
;
Victor A. Solovev
;
Irina V. Sedova
;
Yakov V. Terentev
;
Alexei A. Toropov
;
Maya P. Mikhailova
;
Boris Ya. Meltzer
;
Petr S. Kopev
会议名称:
《Conference on Novel In-Plane Semiconductor Lasers, Jan 21-23, 2002, San Jose, USA》
|
2002年
7.
Achieving spatial coherence in broad area lasers using transverse gain tailoring techniques
机译:
使用横向增益调整技术在广域激光器中实现空间相干性
作者:
J. Houlihan
;
J. R. O Callaghan
;
V. Voignier
;
G. Huyet
;
J. G. McInerney
;
B. Corbettn
会议名称:
《Conference on Novel In-Plane Semiconductor Lasers, Jan 21-23, 2002, San Jose, USA》
|
2002年
关键词:
gain control;
semiconductor lasers;
laser beam focusing;
8.
Recent developments in the applications of mid-infrared lasers, LEDs and other solid state sources to gas detection
机译:
中红外激光,LED和其他固态光源在气体检测中的应用的最新进展
作者:
S. Desmond Smith
;
J. Graham Crowder
;
Harvey R. Hardaway
会议名称:
《Conference on Novel In-Plane Semiconductor Lasers, Jan 21-23, 2002, San Jose, USA》
|
2002年
9.
Optical gain and loss in 3μm diode 'W' lasers
机译:
3μm二极管“ W”激光器的光学增益和损耗
作者:
Sergey Suchalkin
;
David Westerfeld
;
Dmitrii Donetski
;
Ramon Martinelli
;
Igor Vurgaftman
;
Jerry Meyer
;
Serge Luryi
;
Gregory Belenky
会议名称:
《Conference on Novel In-Plane Semiconductor Lasers, Jan 21-23, 2002, San Jose, USA》
|
2002年
关键词:
mid-infrared lasers;
w lasers;
optical gain;
optical loss;
type-Ⅱ heterostructures;
10.
Reducing Temperature Dependence of Semiconductor Lasers Using Nonidentical Multiple Quantum Wells
机译:
使用不相同的多量子阱降低半导体激光器的温度依赖性
作者:
Ching-Fuh Lin
;
Yi-Shin Su
;
Di-Ku Yu
;
Bing-Ruey Wu
会议名称:
《Conference on Novel In-Plane Semiconductor Lasers, Jan 21-23, 2002, San Jose, USA》
|
2002年
关键词:
nonidentical multiple quantum wells;
nonuniform carrier distribution;
characteristic temperature;
quantum efficiency;
11.
Frequency stable semiconductor laser for DWDM
机译:
用于DWDM的频率稳定半导体激光器
作者:
Brad Mells
;
Laurence Chen
;
Alexander Semenov
;
Ming-Wei Pan Jacob Makhinson
;
Jeff Morris
;
Carolyn Hoefer
会议名称:
《Conference on Novel In-Plane Semiconductor Lasers, Jan 21-23, 2002, San Jose, USA》
|
2002年
关键词:
semiconductor laser;
frequency stability;
absolute accuracy;
electrical feedback;
DWDM;
12.
Gain and carrier-induced refractive index change in group-III nitride quantum wells
机译:
III族氮化物量子阱中增益和载流子引起的折射率变化
作者:
W. W. Chow
;
H. C. Schneider
会议名称:
《Conference on Novel In-Plane Semiconductor Lasers, Jan 21-23, 2002, San Jose, USA》
|
2002年
关键词:
semiconductor-laser gain;
group-III nitride semiconductors;
13.
Generation of high-power pulses in the GHz range with three-section DBR lasers
机译:
三段式DBR激光器可产生GHz范围内的高功率脉冲
作者:
Andreas Klehr
;
Hans Wenzel
;
Karl-Heinz Hasler
;
Goetz Erbert
会议名称:
《Conference on Novel In-Plane Semiconductor Lasers, Jan 21-23, 2002, San Jose, USA》
|
2002年
关键词:
DBR laser;
high power optical pulse generation;
Q-switching;
GHz range;
self sustained pulsations;
14.
High Efficiency Multiple Quantum well GaInNAs/GaNAs Ridge-Waveguide Diode Lasers
机译:
高效多量子阱GaInNAs / GaNAs脊波导二极管激光器
作者:
Wonill Ha
;
Vincent Gambin
;
Mark Wistey
;
Seth Bank
;
Seongsin Kim
;
James S. Harris
会议名称:
《Conference on Novel In-Plane Semiconductor Lasers, Jan 21-23, 2002, San Jose, USA》
|
2002年
关键词:
semiconductor lasers;
GaInNAs laser;
GaInNAsSb laser;
GaNAs barrier;
GaNAsSb barriers;
1.3μm laser;
in-plane laser;
15.
High power 400nm-AlGaInN / 650nm-AlGaInP semiconductor lasers
机译:
高功率400nm-AlGaInN / 650nm-AlGaInP半导体激光器
作者:
Shiro Uchida
;
Satoru Kijima
;
Shinichi Ansai
;
Tsuyoshi Tojyo
;
Katsuyoshi Shibuya
;
Shinroh Ikeda
;
Takashi Mizuno
;
Motonobu Takeya
;
Shu Goto
;
Takeharu Asano
;
Masao Ikeda
会议名称:
《Conference on Novel In-Plane Semiconductor Lasers, Jan 21-23, 2002, San Jose, USA》
|
2002年
16.
High Power 1300 nm Fabry-Perot and DFB Ridge Waveguide Lasers
机译:
高功率1300 nm法布里-珀罗和DFB脊形波导激光器
作者:
D. Garbuzov
;
M. Maiorov
;
R. Menna
;
A. Komissarov
;
V. Khalfin
;
I. Kudryashov
;
A. Lunev
;
L. DiMarco
;
J. Connolly
会议名称:
《Conference on Novel In-Plane Semiconductor Lasers, Jan 21-23, 2002, San Jose, USA》
|
2002年
关键词:
ridge-waveguide 1310 nm high-power diode laser;
distributed feedback laser;
relative intensity noise;
17.
Influence of intraband relaxation processes on threshold and power-current characteristics of semiconductor lasers
机译:
带内弛豫过程对半导体激光器阈值和功率电流特性的影响
作者:
G.G. Zegrya
;
N.A. Gunko
;
E.B. Dogonkin
会议名称:
《Conference on Novel In-Plane Semiconductor Lasers, Jan 21-23, 2002, San Jose, USA》
|
2002年
关键词:
laser;
quantum well;
threshold;
relaxation;
many-particle;
phonon;
auger;
18.
High-brightness diode lasers with high d/Γ ratio obtained in asymmetric epitaxial structures
机译:
在不对称外延结构中获得的高d /Γ比的高亮度二极管激光器
作者:
Iulian Petrescu-Prahova
;
Tom Moritz
;
John Riordan
会议名称:
《Conference on Novel In-Plane Semiconductor Lasers, Jan 21-23, 2002, San Jose, USA》
|
2002年
关键词:
diode lasers;
asymmetric structures;
high power;
high brightness;
low confinement;
optical trap;
optical wall;
19.
Current-induced Cooling of Quantum Systems
机译:
电流诱导的量子系统冷却
作者:
Eugen B. Dogonkin
;
Georgy G. Zegrya
会议名称:
《Conference on Novel In-Plane Semiconductor Lasers, Jan 21-23, 2002, San Jose, USA》
|
2002年
20.
Diode laser modules of highest brilliance for materials processing
机译:
用于材料加工的最高亮度的二极管激光模块
作者:
Alexander Knitsch
;
Axel Luft
;
Tobias Gross
;
Detlev Ristau
;
Peter Loosen
;
Reinhart Poprawe
会议名称:
《Conference on Novel In-Plane Semiconductor Lasers, Jan 21-23, 2002, San Jose, USA》
|
2002年
关键词:
wavelength-multiplexing;
polarization-multiplexing;
high power diode laser;
multi-filter;
multiplexer;
beam displacer;
birefringent crystal;
21.
100 mW High-Power Three-Section Tunable Distributed Bragg Reflector Laser Diodes with a Real Refractive-Index-Guided Self-Aligned Structure
机译:
具有实际折射率自对准结构的100 mW大功率三节可调分布式布拉格反射器激光二极管
作者:
Toru Takayama
;
Atsunori Mochida
;
Kenji Orita
;
Satoshi Tamura
;
Toshikazu Ohnishi
;
Masaaki Yuri
;
Hirokazu Shimizu
会议名称:
《Conference on Novel In-Plane Semiconductor Lasers, Jan 21-23, 2002, San Jose, USA》
|
2002年
关键词:
high-power;
three-section;
tunable distributed bragg reflector laser diodes;
real refractive-index-guided self-aligned structure;
22.
Mid-Infrared Photonic-Crystal Distributed-Feedback Lasers with Improved Spectral and Far-Field Characteristics
机译:
具有改进的光谱和远场特性的中红外光子晶体分布式反馈激光器
作者:
C. L. Felix
;
W. W. Bewley
;
I. Vurgaftman
;
R. E. Bartolo
;
J. R. Lindle
;
J. R. Meyer
;
H. Lee
;
R. U. Martinelli
会议名称:
《Conference on Novel In-Plane Semiconductor Lasers, Jan 21-23, 2002, San Jose, USA》
|
2002年
关键词:
photonic crystal;
distributed-feedback laser;
mid-IR laser;
beam quality;
spectral purity;
23.
Quantum cascade lasers with a heterogeneous cascade: Two- and multiple-wavelength operation
机译:
具有异质级联的量子级联激光器:两波长和多波长操作
作者:
Claire Gmachl
;
Deborah L. Sivco
;
Axel Straub
;
Raffaele Colombelli
;
Trinesha S. Mosely
;
James N. Baillargeon
;
Federico Capasso
;
Alfred Y. Cho
会议名称:
《Conference on Novel In-Plane Semiconductor Lasers, Jan 21-23, 2002, San Jose, USA》
|
2002年
关键词:
quantum cascade laser;
mid-infrared;
distributed feedback laser;
multiple-wavelength light source;
supercontinuum generation;
24.
Quantum Cascade Lasers and Metal Waveguides at λ > 20 μm
机译:
λ> 20μm的量子级联激光器和金属波导
作者:
Raffaele Colombelli
;
Federico Capasso
;
Karl Unterrainer
;
Claire Gmachl
;
A. Michael Sergent
;
Deborah L. Sivco
;
Alfred Y. Cho
会议名称:
《Conference on Novel In-Plane Semiconductor Lasers, Jan 21-23, 2002, San Jose, USA》
|
2002年
关键词:
quantum cascade laser;
far-infrared;
surface-plasmon waveguides;
phonon-bottleneck;
25.
Photonic Crystal Defect Lasers
机译:
光子晶体缺陷激光器
作者:
Kartik Srinivasan
;
Oskar Painter
会议名称:
《Conference on Novel In-Plane Semiconductor Lasers, Jan 21-23, 2002, San Jose, USA》
|
2002年
关键词:
photonic crystal;
microcavity;
semiconductor laser;
InGaAsP;
26.
Wide Wavelength Control by Selective MOVPE and Its Applications to DFB-LD Array for CWDM
机译:
选择性MOVPE的宽波长控制及其在CWDM的DFB-LD阵列中的应用
作者:
Takahiro Nakamura
;
Kazuo Mori
会议名称:
《Conference on Novel In-Plane Semiconductor Lasers, Jan 21-23, 2002, San Jose, USA》
|
2002年
关键词:
DFB-LD array;
CWDM;
wide wavelength control;
atmospheric-pressure narrow-stripe MOVPE;
electron beam lithography;
detuning value;
cross- talk;
27.
Physics and applications of III-Sb based type-I QW diode lasers
机译:
基于III-Sb的I型QW二极管激光器的物理和应用
作者:
C. Mermelstein
;
M. Rattunde
;
J. Schmitz
;
R. Kiefer
;
M. Walther
;
J. Wagner
会议名称:
《Conference on Novel In-Plane Semiconductor Lasers, Jan 21-23, 2002, San Jose, USA》
|
2002年
关键词:
mid-infrared;
GaSb;
quantum well;
semiconductor diode laser;
high power;
28.
Two Dimensional Photonic Crystal Lasers
机译:
二维光子晶体激光器
作者:
Mitsuru Yokoyama
;
Masahiro Imada
;
Susumu Noda
会议名称:
《Conference on Novel In-Plane Semiconductor Lasers, Jan 21-23, 2002, San Jose, USA》
|
2002年
关键词:
photonic crystal;
semiconductor laser;
surface-emitting laser;
polarization mode control;
29.
Type Ⅱ diode lasers based on interface recombination at 3.3μm
机译:
基于界面复合的3.3μmⅡ型二极管激光器
作者:
Anthony Krier
;
Derek A. Wright
;
Victoria J. Ellarby
;
Victor V. Sherstnev
;
Konstantin D. Moiseev
;
Yuri P. Yakovlev
会议名称:
《Conference on Novel In-Plane Semiconductor Lasers, Jan 21-23, 2002, San Jose, USA》
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2002年
关键词:
hetero-interfaces;
mid-infrared lasers;
photoluminescence;
30.
Gain characteristics of GalnP quantum well laser structures
机译:
GalnP量子阱激光器结构的增益特性
作者:
G M Lewis
;
J.D.Thomson
;
P.M.Smowton
;
P.J.Hulyer
;
P.Blood
会议名称:
《Conference on Novel In-Plane Semiconductor Lasers, Jan 21-23, 2002, San Jose, USA》
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2002年
关键词:
optical gain spectra;
spontaneous emission spectra;
amplified spontaneous emission;
gain-current relation GalnP laser diodes;
tensile strained quantum wells;
31.
High performance 1.32 μm GaInNAs/GaAs single-quantum-well lasers grown by molecular beam epitaxy
机译:
通过分子束外延生长的高性能1.32μmGaInNAs / GaAs单量子阱激光器
作者:
Wei Li
;
Chang Si Peng
;
Tomi Jouhti
;
Janne Konttinen
;
Emil-Mihai Pavelescu
;
Mikko Suominen
;
Mihail Dumitrescu
;
Markus Pessa
会议名称:
《Conference on Novel In-Plane Semiconductor Lasers, Jan 21-23, 2002, San Jose, USA》
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2002年
关键词:
GaInNAs;
long wavelength laser;
molecular beam epitaxy;
32.
High output power polarization insensitive SOA
机译:
高输出功率极化不敏感SOA
作者:
Ken Morito
会议名称:
《Conference on Novel In-Plane Semiconductor Lasers, Jan 21-23, 2002, San Jose, USA》
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2002年
关键词:
semiconductor optical amplifier;
saturation output power;
polarization insensitive;
spot-size converter;
33.
Group III-Arsenide-Nitride Quantum Well Structures on GaAs for Laser Diodes Emitting at 1.3 μm
机译:
GaAs上的III族砷化物-氮化物量子阱结构用于1.3μm激光二极管的发射
作者:
Tomi Jouhti
;
Chang Si Peng
;
Emil-Mihai Pavelescu
;
Wei Li
;
Victor-Tapio Rangel-Kuoppa
;
Janne Konttinen
;
Pekka Laukkanen
;
Markus Pessa
会议名称:
《Conference on Novel In-Plane Semiconductor Lasers, Jan 21-23, 2002, San Jose, USA》
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2002年
关键词:
long-wavelength laser diode;
GaInAsN;
GaAs;
quantum well;
photoluminescence;
rapid thermal annealing;
34.
High power and high brightness laser diode structures at 980nm using Al-free materials
机译:
使用无铝材料的980nm高功率高亮度激光二极管结构
作者:
Michel Krakowski
;
Sophie-Charlotte Auzanneau
;
Michel Calligaro
;
Olivier Parillaud
;
P.Collot
;
Michel Lecomte
;
Benoit Boulant
;
Thierry Fillardet
会议名称:
《Conference on Novel In-Plane Semiconductor Lasers, Jan 21-23, 2002, San Jose, USA》
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2002年
关键词:
semiconductor laser;
high power laser diode;
high brightness laser diode;
broad area laser;
tapered laser structure;
index guiding;
gain guiding;
beam quality;
bar of laser diodes;
reliability;
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