机译:金属有机气相外延生长的AlGaN / InGaN / GaN双异质结构中的电子传输特性
NTT Basic Research Laboratories, NTT Corporation, 3-1 Morinosato-Wakamiya, Atsugi-shi, Kanagawa 243-0198, Japan;
机译:通过金属有机气相外延生长在直径为100 mm的外延AlN /蓝宝石模板上的高电子迁移率AlGaN / AlN / GaN异质结构
机译:金属有机汽相外延技术表征不同Al含量的AlGaN / GaN异质结构和生长在100毫米直径蓝宝石衬底上的高电子迁移率晶体管
机译:金属有机气相外延生长的轻掺杂Si的InGaN薄膜的电子输运性质
机译:金属有机气相外延生长场效应晶体管的AlGaN / GaN异质结构的优化
机译:微金属应用中通过金属有机气相外延生长在6H-SiC(0001)衬底上的GaN和AlGaN的生长,掺杂和表征。
机译:氢化物气相外延生长在AlN纳米图案蓝宝石模板上的AlGaN外延层的结构和应力特性
机译:二维电子的照射和退火特性 金属有机气相外延生长alGaN / alN / GaN中的气体系统 异质