机译:通过在AlN缓冲液中引入孔隙率来实现Al_(0.98)Ga_(0.02)N层的空气桥接横向生长
机译:使用多孔AlN缓冲液生长的Al_(0.98)Ga_(0.02)N层中位错减少的机制
机译:高弛豫多孔GaN上无裂纹Al_(0.24)Ga_(0.76)N的气桥横向生长
机译:6H-SiC晶片中的畴结构及其对在AlN和Al_(0.2)Ga_(0.8)N缓冲层上生长的GaN膜的微观结构的影响
机译:低温GaAs对Al_(0.98)Ga_(0.02)的横向热氧化的影响
机译:氮化锆/氮化铝缓冲层,用于在硅基板上外延生长(铟,镓)氮化物。
机译:60-nm厚的AlN缓冲层在n-ZnO / AlN / p-Si中的功能(111)
机译:基于同步加速器的光致发光激发光谱用于研究AlN和$ Al_ {0.94} Ga_ {0.06} N $的价带分裂
机译:低温生长Gaas对al(sub 0.98)Ga(sub 0.02)as的横向热氧化的影响。