机译:高弛豫多孔GaN上无裂纹Al_(0.24)Ga_(0.76)N的气桥横向生长
Department of Electrical Engineering, University of South Carolina, Columbia, South Carolina 29208;
机译:x极低的Al_(0.24)Ga_(0.76)As / Al_xGa_(1-x)As / Al_(0.24)Ga_(0.76)As调制掺杂量子阱的生长和电特性
机译:Al_(0.24)Ga_(0.76)As和In_(0.49)Ga_(0.51)P肖特基接触层的Pd金属氧化物半导体(MOS)晶体管的氢感测特性的综合研究
机译:具有沉积和掩埋栅的Al_(0.24)Ga_(0.76)As / In_(0.22)Ga_(0.78)As双异质结HEMT的性能
机译:下沉栅对Al_(0.24)Ga_(0.76)As / In_(0.22)Ga_(0.78)As双异质结高电子迁移率晶体管的影响
机译:弛豫基铁电体0.24Pb(In1 / 2Nb1 / 2)O3-(0.76-x)Pb(Mg1 / 3Nb2 / 3)O3-xPbTiO3单晶的线性光电特性
机译:生长和电学特性 al0.24Ga0.76as / alxGa1-xas / al0.24Ga0.76as调制掺杂量子阱 极低的x