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【24h】

Quantum-confined Stark effect in a single InGaN quantum dot under a lateral electric field

机译:横向电场下单个InGaN量子点中的量子限制斯塔克效应

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摘要

The effect of an externally applied lateral electric field upon an exciton confined in a single InGaN quantum dot is studied using microphotoluminescence spectroscopy. The quantum-confined Stark effect causes a shift in the exciton energy of more than 5 meV, accompanied by a reduction in the exciton oscillator strength. The shift has both linear and quadratic terms as a function of the applied field.
机译:使用微光致发光光谱研究了外部施加的横向电场对限制在单个InGaN量子点中的激子的影响。量子限制的斯塔克效应导致激子能量偏移超过5 meV,同时激子振荡器强度降低。该位移具有线性项和二次项,它们都是所施加场的函数。

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