机译:LaAlO_3高K电介质中嵌入Ge纳米晶体的合成及其记忆效应研究。
Department of Applied Physics and Materials Research Center, The Hong Kong Polytechnic University, Hung Hom, Kowloon, Hong Kong, People's Republic of China;
机译:LaAlO_3纳米晶体嵌入到浮栅存储应用中的非晶Lu_2O_3高k栅极电介质中
机译:形成气体退火对嵌入LaAiO(3)高k电介质中的Ge纳米晶体存储特性的影响
机译:DyScO_3高k栅极介电层中嵌入的Au纳米晶体的存储特性和隧穿机理
机译:嵌入Hf-铝酸盐高k栅极电介质中的Ge纳米晶体用于浮栅存储应用
机译:纳米晶体嵌入锆掺杂的氧化ha高k栅极介电膜。
机译:HfO2 / SiO2叠层隧道电介质的SiN薄膜中离子注入能量对Ge纳米晶体合成的影响
机译:LaAlO₃高k电介质中嵌入的Ge纳米晶体的合成和存储效应研究