嵌入SiO_2薄膜中的GeO和Ge纳米晶光致发光的研究

敦少博; 卢铁城; 胡强; 于晓林; 胡又文; 曾颖秋; 张松宝; 唐彬; 代君龙

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作者通过离子注入法得到了镶嵌于SiO2薄膜中的Ge纳米晶,并通过系统的氧化性或还原性退火处理,以改变样品中Ge的氧化物成分组成.分析了不同样品在室温下的光致发光(PL)特性,并结合XRD分析表明:300与400nm附近的荧光峰的发光机制是GeO(nc GeO)纳米晶发光,而不是GeO的缺陷发光;570nm附近的荧光峰的发光机制为Ge纳米晶(nc Ge)发光,而不是Ge及Si界面的缺陷发光.

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来源
《四川大学学报：自然科学版》 |2005年第2期|347-352|共6页
作者
敦少博; 卢铁城; 胡强; 于晓林; 胡又文; 曾颖秋; 张松宝; 唐彬; 代君龙;
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作者单位

四川大学物理系.辐射国家物理及技术重点实验室;

中国工程物理研究院核物理和化学研究所;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类薄膜物理学;
关键词
Ge纳米晶; GeO纳米晶; 离子注入; 光致发光; X射线衍射;

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