机译:GaSb基于量子阱的“无缓冲”垂直发光二极管,单片嵌入包含界面失配阵列的GaAs腔内
机译:GaSb基单片谐振腔发光二极管的制造和表征,该二极管发射约2.3μm并包括隧道结
机译:表面发射折叠腔InGaAs / AlGaAs二极管激光器的单片阵列的CW操作
机译:嵌入“无缓冲” GaSb / GaAs(001)异质结中的界面态的电子特性
机译:基于Gasb QW的“无缓冲”垂直LED使用界面错入阵列单片嵌入GaAs腔内
机译:微腔发光二极管和垂直腔表面发射激光器发出的圆偏振光。
机译:具有周期性90°错配位错界面阵列的GaAs衬底上生长的高弛豫GaSb的结构分析
机译:GaSb / GaAs异质结上生长的GaSb / AlGaSb量子阱的光谱和瞬态发光测量,带有和不带有界面不匹配阵列
机译:具有干蚀刻垂直面和抛物面偏转镜的表面发射alGaas二极管激光器的高量子效率单片阵列。 (重新公布新的可用性信息)