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Route to a correct description of the fundamental properties of cubic InN

机译:正确描述立方InN的基本性质

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摘要

The main fundamental properties of the cubic InN are studied within the density functional theory. We used the full-potential augmented plane wave method with two different exchange-correlation potentials, the Perdew-Wang (PW) and the Engel-Vosko (EV) approximations, in both cases nonrelativistic and relativistic. We found that the PW and relativistic approximations give a metallic ground state. The use of the EV and nonrelativistic approximations gives, however, a semiconductor phase with a band-gap value of 0.57 eV, which is in fairly good agreement with the recent measurement of 0.61 eV.
机译:在密度泛函理论中研究了立方InN的主要基本性质。在非相对论和相对论两种情况下,我们使用具有两种不同交换相关势的全势增强平面波方法,即Perdew-Wang(PW)和Engel-Vosko(EV)近似。我们发现PW和相对论近似给出了金属基态。但是,使用EV和非相对论的近似值可以得出带隙值为0.57 eV的半导体相,这与最近的0.61 eV测量值非常吻合。

著录项

  • 来源
    《Applied Physics Letters》 |2007年第18期|p.182105.1-182105.3|共3页
  • 作者单位

    Departement de Physique, Universite des Sciences et de la Technologie d'Oran (USTO), Oran 31036, Algeria;

  • 收录信息 美国《科学引文索引》(SCI);美国《工程索引》(EI);美国《生物学医学文摘》(MEDLINE);
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 eng
  • 中图分类 应用物理学;计量学;
  • 关键词

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