机译:正确描述立方InN的基本性质
机译:用分子束外延和迁移增强外延研究GaAs(001)衬底上立方InN薄膜的结构特性
机译:纤锌矿和立方相中InN的电子和光学性质的从头算研究
机译:立方InN量子点和In_xGa_(1-x)N簇中与尺寸有关的发射特性和子带间跃迁
机译:纤锌矿和立方相中InN的电子助剂光学性质
机译:正确的密度泛函理论描述了硫化镉和亚硝酸钠铁电性的电子性质。
机译:高性能超级电容器的刻蚀和沉淀路径协同合成立方Ni(OH)2纳米笼。
机译:InN基波带隙的不寻常特性