机译:位错连接点成为线程位错迁移的障碍
机译:6H-SiC单晶中的基面位错-螺纹边缘位错复合位错
机译:击穿现象依赖于垂直P-N结GaN二极管中穿线脱位的数量和位置
机译:通过使用AIN多层中间层减少迁移增强的外延生长的N极性GaN中的螺纹位错
机译:有穿线位错密度的单结GaAs和双结GaAs / Si的设计
机译:减少在GaAs底物上生长在GaAs底物上的喘气脱位,用于光伏和蒸煮器应用
机译:通过无限的长量子脱位区段的声子散射和在由许多平行脱位的固体螺纹中产生热传输各向异性的产生
机译:III-氮化物外膜中分离的螺纹脱位的异质成核
机译:应变外延层中线程位错逮捕的判据及其路径中的界面错配位错