机译:锗诱导ZrO_2 / GeO_2栅堆叠中非常高k的氧化锆相的稳定化
机译:高K界面层GeO_2层的优化和定标:锗栅堆叠和GeO_2介电常数的提取
机译:通过在锗上沉积原子层沉积的ZrO_2 / La_2O_3电介质的后沉积退火来稳定非常高k的ZrO_2相
机译:使用晶体ZrO_2高K / AI_2O_3缓冲层栅极堆叠抑制FinFET的短沟道效应,以实现低功耗器件应用
机译:溅射沉积的棕褐色和锡金属门对ZrO_2 / GE和ZrO_2 / Si高k电介质栅极堆的影响
机译:高K栅极电介质堆叠的电压和温度相关的栅极电容和电流模型
机译:具有纳米堆叠的高k栅极电介质和3D鳍形结构的高性能III-V MOSFET
机译:具有高k栅极堆叠的mOsFET的漏极和栅极电流中的1 / f噪声