机译:通过超薄GaAs中间层实现的低密度1.55μmInAs / InGaAsP / lnP(100)量子点
COBRA Research Institute on Communication Technology Eindhoven University of Technology, 5600 MB Eindhoven, The Netherlands;
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机译:单个InAs / InGaAsP / InP(100)量子点以1.55μm发射的光学特性
机译:载流子扩散作为在电信频谱范围发射的InAs / InGaAsP / InP混合量子点量子阱结构中载流子/激子传输速率的量度
机译:通过插入超薄GaAs和GaP中间层在1.55μm波长范围内发射的InAs / InP量子点
机译:InAs-GaAs量子点在低温下生长1.55μm范围内结构的缺陷密度降低
机译:在2-D电场下探索InAs / GaAs量子点和量子点分子中的单孔状态
机译:用于低密度InAs / GaAs自组装量子点生长的2D-3D跃迁参数的原位精确控制
机译:通过超薄GaAs中间层实现的低密度1.55μmInAs / InGaAsP / InP(100)量子点
机译:用于量子信息处理的低密度Inas / Gaas量子点(QD)的生长和表征