...
机译:压电电场下Ingan / gan三角形量子阱的光学增益特性分析
机译:生长变量对InGaN / GaN三角形量子阱结构和光学性质的影响
机译:浸入式InGaN / GaN量子阱中光增益的结构依赖性
机译:压电场对以非极性(1010)和半极性(112 2)取向制备的InGaN / GaN量子阱发光二极管的光电性能的影响
机译:金属有机化学气相沉积法生长的InGaN / GaN三角形量子阱的结构和光学性质
机译:InGaN / GaN多量子阱结构:亚微米结构,光学,电和化学性质。
机译:掺杂Si的InGaN底层对不同数量的量子阱的InGaN / GaN量子阱结构的光学性能的影响
机译:具有三角形多量子阱的InGaN / GaN发光二极管的性能改进