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机译:生长变量对InGaN / GaN三角形量子阱结构和光学性质的影响
School of Chemical Engineering and Technology and Semiconductor Physics Research Center, Chonbuk National University, Chonju 561-756, Korea;
quantum well; quantum dot; InGaN/GaN; light-emitting diode;
机译:GaN盖层生长后的热退火工艺对InGaN / InGaN多量子阱的结构和光学性质的影响
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机译:钛氧化物纳米粒子旋涂在r面蓝宝石衬底上:对非极性a面GaN和InGaN / GaN多量子阱的结构和光学性质的影响
机译:具有不同发射波长的InGaN / GaN三角形量子孔的结构和光学性质
机译:InGaN / GaN多量子阱结构:亚微米结构,光学,电和化学性质。
机译:掺杂Si的InGaN底层对不同数量的量子阱的InGaN / GaN量子阱结构的光学性能的影响
机译:金属有机化学气相沉积法制备3D生长多层InGaN / GaN量子点的结构和光学性质
机译:用于激光二极管应用的GaN,InGaN和GaN / InGaN量子阱结构的mBE生长和性质