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机译:GaN盖层生长后的热退火工艺对InGaN / InGaN多量子阱的结构和光学性质的影响
Chinese Acad Sci Suzhou Inst Nanotech & Nanobion Suzhou 215123 Peoples R China;
Univ Chinese Acad Sci Coll Mat Sci & Optoelect Technol Beijing 100049 Peoples R China;
Univ Chinese Acad Sci Sch Elect Elect & Commun Engn Beijing 100049 Peoples R China;
Jilin Univ Coll Elect Sci & Engn State Key Lab Integrated Optoelect Changchun 130023 Jilin Peoples R China;
China Acad Engn Phys Microsyst & Terahertz Res Ctr Chengdu 610200 Sichuan Peoples R China;
Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Integrated Optoelect Beijing 100083 Peoples R China;
InGaN MQW; Thermal annealing; LED;
机译:GaN盖层生长后的热退火工艺对InGaN / InGaN多量子阱的结构和光学性质的影响
机译:势垒层生长之前的温度上升时间在InGaN / GaN多量子阱的光学和结构特性中的作用
机译:GaN盖层厚度不同的高铟含量InGaN / GaN多量子阱的光学和结构特征
机译:不同铟组成的InGaN / GaN多量子阱结构的结构和光学性质
机译:InGaN / GaN多量子阱结构:亚微米结构,光学,电和化学性质。
机译:具有不同GaN盖层厚度InGaN / GaN多量子阱的光学性质的研究
机译:AlGaN中间层对GaN / Ingan / GaN / AlGa多量子孔结构性能对红发射的影响