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Multidomain ferroelectricity as a limiting factor for voltage amplification in ferroelectric field-effect transistors

机译:多域铁电是铁电场效应晶体管中电压放大的限制因素

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摘要

We revise the possibility of having an amplified surface potential in ferroelectric field-effect transistors pointed out by [S. Salahuddin and S. Datta, Nano Lett. 8, 405 (2008)]. We show that the negative-capacitance regime that allows for such amplification is actually bounded by the appearance of multidomain ferroelectricity. This imposes a severe limit to the maximum step-up of the surface potential obtainable in the device. We indicate new device design rules taking into account this scenario.
机译:我们修改了由[S.A.S.A.S.S.S.S.,S.S.,1992,1,3,4,5,5,6,5,5,6,5,5,5,6,5,5,5,6,5,6,5,4,5,6,4,4,4,4,4,6,7,8,9,8,9,9,9,8,9,8,9,9,9,8,9,9,9,8都在铁电场效应晶体管中具有放大的表面电势的可能性。 Salahuddin和S.Datta,Nano Lett。 8,405(2008)]。我们表明,允许这种放大的负电容机制实际上受到多域铁电现象的限制。这对设备中可获得的表面电势的最大提升施加了严格的限制。我们指出了考虑这种情况的新设备设计规则。

著录项

  • 来源
    《Applied Physics Letters》 |2010年第13期|p.133509.1-133509.3|共3页
  • 作者

    A. Cano; D. Jimenez;

  • 作者单位

    European Synchrotron Radiation Facility, 6 rue Jules Horowitz, BP 220, 38043 Grenoble, France;

    Departament d'Enginyeria Electrdnica, Escola d'Enginyeria, Universitaet Autonoma de Barcelona, 08193 Bellaterra, Spain;

  • 收录信息 美国《科学引文索引》(SCI);美国《工程索引》(EI);美国《生物学医学文摘》(MEDLINE);
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 eng
  • 中图分类
  • 关键词

  • 入库时间 2022-08-18 03:19:05

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