机译:多域铁电是铁电场效应晶体管中电压放大的限制因素
European Synchrotron Radiation Facility, 6 rue Jules Horowitz, BP 220, 38043 Grenoble, France;
Departament d'Enginyeria Electrdnica, Escola d'Enginyeria, Universitaet Autonoma de Barcelona, 08193 Bellaterra, Spain;
机译:基于多域Landau-Kalathnikov理论的电路模拟铁电栅极场效应晶体管的紧凑模型
机译:多域负电容效应P(VDF-TRFE)铁电电容和被动电压放大
机译:用于铁电随机存取存储器和铁电场效应晶体管的铁电氧化ha
机译:负电容场效应晶体管中铁电极化的多域动力学及其相干性破坏
机译:使用金属 - 铁电半导体场效应晶体管进行射频和数字电路的设计,测试和建模
机译:通过紫外线臭氧处理铁电三元共聚物实现高迁移率低压工作的有机场效应晶体管非易失性存储器
机译:多畴铁电性作为电压的限制因素 在铁电场效应晶体管中的放大
机译:使用基于分子的晶体管放大电信号:功率放大高达千赫兹频率和限制高频操作的因素