机译:硅杂质诱导的AlGaN / AlN超晶格层无序
Sandia National Laboratories, Albuquerque, New Mexico 87185, USA;
Sandia National Laboratories, Albuquerque, New Mexico 87185, USA;
Sandia National Laboratories, Albuquerque, New Mexico 87185, USA;
机译:硅杂质诱导的AlGaN / AlN超晶格层无序
机译:硅注入子带间AlGaN / AlN超晶格的层无序和掺杂补偿
机译:硅注入子带间AlGaN / AlN超晶格的层无序和掺杂补偿
机译:AlGaN / AlN超晶格上生长的Si掺杂n型Al_(0.45)Ga_(0.55)N层的显微镜研究和电导率
机译:用于深紫外光电器件的硅掺杂高铝含量AlGaN层中的位错减少
机译:(AlN)m /(GaN)n超晶格中MgGaδ掺杂降低高Al含量AlGaN合金中Mg活化能的实验证据
机译:用透射电子显微镜分析在alGaN / alN应变层超晶格的4英寸si(111)衬底上生长的GaN层中c + a和-c + a位错之间的反应
机译:N型杂质诱导alGaas / Gaas超晶格紊乱的机制