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Wigner crystallization due to electrons localized at deep traps in two-dimensional amorphous dielectric

机译:由于电子位于二维非晶质电介质中的深陷阱处,导致威格纳结晶

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摘要

We calculated the spatial distribution of electrons localized at deep neutral traps in some amorphous dielectric films based on some fundamental physics in order to explain the phenomena such as space ordering of electrons. We showed that when the surface density of traps (N_s) is much larger than that of the trapped electrons (n_s), e.g., n_s/N_s≤0.001, Wigner crystallization occurs due to the Coulomb repulsion of trapped electrons and a two-dimensional quasiperiodic hexagonal lattice or Wigner glass can be formed.
机译:我们基于一些基本物理学原理,计算了一些非晶态电介质膜中位于深中性陷阱处的电子的空间分布,以解释电子的空间有序现象。我们表明,当陷阱的表面密度(N_s)远大于被陷阱的电子(n_s)的表面密度,例如n_s /N_s≤0.001时,由于被俘获电子的库仑斥力和二维拟周期性而产生了维格纳结晶可以形成六边形格子或维格纳玻璃。

著录项

  • 来源
    《Applied Physicsletters》 |2010年第26期|P.263510.1-263510.3|共3页
  • 作者单位

    Institute of Semiconductor Physics, 630090 Novosibirsk, Russia;

    rnInstitute of Semiconductor Physics, 630090 Novosibirsk, Russia;

    rnDepartment of Electronic Engineering, City University of Hong Kong, Tat Chee Avenue, Kowloon, Hong Kong;

  • 收录信息 美国《科学引文索引》(SCI);美国《工程索引》(EI);美国《生物学医学文摘》(MEDLINE);
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 eng
  • 中图分类
  • 关键词

  • 入库时间 2022-08-18 03:18:55

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