机译:由于电子位于二维非晶质电介质中的深陷阱处,导致威格纳结晶
Institute of Semiconductor Physics, 630090 Novosibirsk, Russia;
rnInstitute of Semiconductor Physics, 630090 Novosibirsk, Russia;
rnDepartment of Electronic Engineering, City University of Hong Kong, Tat Chee Avenue, Kowloon, Hong Kong;
机译:二维电介质深陷阱中电子的威格纳结晶
机译:磁场中二维电子气的威格纳结晶:晶格位上的单个电子与电子对-艺术。没有。 165315
机译:磁场中二维电子气的威格纳结晶:晶格位上的单个电子与电子对-艺术。没有。 165315
机译:氢化无定形硅和硅锗中深疏水膜的电子发射:Meyer-nekiel行为和电离熵
机译:超薄非晶态锗钼薄膜的超导性和局部化之间的竞争(二维,抗通量性)。
机译:非晶态全氟聚合物驻极体端基对电子俘获的影响
机译:厚二维电子系统中的基态能量和维格纳结晶
机译:液氦层中电子Wigner结晶的有限尺寸效应