机译:沉积后退火对Yb_2TiO_5电荷陷阱层结构和电学特性的影响
Department of Electronics Engineering, Chang Gung University, Taoyuan 333, Taiwan;
Department of Electronics Engineering, Chang Gung University, Taoyuan 333, Taiwan;
Department of Electronics Engineering, Chang Gung University, Taoyuan 333, Taiwan;
机译:沉积后退火对Yb2TiO5电荷俘获层结构和电学特性的影响
机译:非易失性存储应用的高k Tb_2O_3和Tb_2TiO_5电荷捕获层的结构和电学特性
机译:沉积后退火对Tm_2O_3和Tm_2Ti_2O_7薄电介质的结构性能和电特性的影响
机译:沉积后退火对高k Yb_2TiO_5栅极电介质物理和电学性能的影响
机译:快速热退火欧姆触点与砷化镓的比较电特性。
机译:以富含Si的SiOX作为电荷陷阱层和铟锡锌氧化物的透明非易失性存储器件的特性
机译:氮退火Pt / HfO2 / p-Si(100)MIS器件的结构,电学,能带对准和电荷陷阱分析