机译:Si(111)衬底上通过分子束外延生长的InGaN纳米柱的发射控制
ISOM and Departamento de Ingenieria Electronica, ETSI Telecomunicacion, Universidad Politecnica de Madrid, Ciudad Universitaria sin, 28040 Madrid, Spain;
ISOM and Departamento de Ingenieria Electronica, ETSI Telecomunicacion, Universidad Politecnica de Madrid, Ciudad Universitaria sin, 28040 Madrid, Spain;
ISOM and Departamento de Ingenieria Electronica, ETSI Telecomunicacion, Universidad Politecnica de Madrid, Ciudad Universitaria sin, 28040 Madrid, Spain,Universite Montpellier 2, F-34095 Montpellier, Cedex 5, France;
ISOM and Departamento de Ingenieria Electronica, ETSI Telecomunicacion, Universidad Politecnica de Madrid, Ciudad Universitaria sin, 28040 Madrid, Spain;
ISOM and Departamento de Ingenieria Electronica, ETSI Telecomunicacion, Universidad Politecnica de Madrid, Ciudad Universitaria sin, 28040 Madrid, Spain;
Paul-Drude-Institut fur Festkoperelektronik, Hausvogteiplatz 5-7,10117 Berlin, Germany;
Paul-Drude-Institut fur Festkoperelektronik, Hausvogteiplatz 5-7,10117 Berlin, Germany;
机译:RE等离子体辅助分子束外延在Si(111)上生长高InInGaN多量子盘纳米柱
机译:通过在同一衬底上生长的InGaN / GaN纳米柱阵列的纳米柱直径,控制从蓝色到红色的发射颜色
机译:射频等离子体辅助分子束外延利用氮化铝纳米图案在Si(111)衬底上的GaN纳米柱的选择性区域生长
机译:从SI(111)和蓝宝石(0001)基板上的INN 2.2eV附近的可见排放由电子回旋谐振等离子体辅助分子束外延
机译:分子束外延生长锶镧铜氧化物薄膜的角分辨光发射光谱。
机译:分子束外延生长GaN基体中准2D InGaN的激子发射
机译:Si(111)衬底上通过分子束外延生长的InGaN纳米柱的发射控制