机译:栅极偏置应力在具有不同沟道宽度的非晶铟镓锌氧化物薄膜晶体管的传输特性中引起驼峰效应
Advanced Display Research Center and Department of Information Display, Kyung Hee University, Dongdaemun-gu, Seoul 130-701, Korea;
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机译:通道宽度变化对双侧栅极连接晶体管电特性的影响; 数字研究
机译:通道宽度对微波退火制备三栅极多晶硅薄膜晶体管高频特性的影响
机译:沟道宽度变化对三栅极无结晶体管电特性的影响
机译:不同沟道几何形状的InGaZnO薄膜晶体管的机械应变引起的偏应力不稳定性分析
机译:Emamectin苯甲酸酯与鲑鱼Leopophtheirus的假定谷氨酸门控氯离子通道的结合特性。
机译:具有埋沟道层的非晶InGaZnO薄膜晶体管的电性能和偏压应力稳定性
机译:顶栅电位对双栅极非晶铟 - 锌 - 氧化锌薄膜晶体管偏压的影响