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机译:二次离子质谱法测量高应力InGaN激光二极管中的掺杂杂质
Institute of High Pressure Physics, Sokolowska 29/37, 01-142 Warsaw, Poland;
Institute of High Pressure Physics, Sokolowska 29/37, 01-142 Warsaw, Poland,TopGaN Ltd., Sokolowska 29/37, 01-142 Warsaw, Poland;
Institute of High Pressure Physics, Sokolowska 29/37, 01-142 Warsaw, Poland,TopGaN Ltd., Sokolowska 29/37, 01-142 Warsaw, Poland;
Institute of High Pressure Physics, Sokolowska 29/37, 01-142 Warsaw, Poland,TopGaN Ltd., Sokolowska 29/37, 01-142 Warsaw, Poland;
Institute of High Pressure Physics, Sokolowska 29/37, 01-142 Warsaw, Poland,TopGaN Ltd., Sokolowska 29/37, 01-142 Warsaw, Poland;
Institute of Physics, al. Lotnikow 32/46, 02-668 Warsaw, Poland;
Institute of High Pressure Physics, Sokolowska 29/37, 01-142 Warsaw, Poland;
TopGaN Ltd., Sokolowska 29/37, 01-142 Warsaw, Poland;
机译:HgCdTe中杂质测量的二次离子质谱和飞行时间二次离子质谱研究
机译:HgCdTe中杂质测量的二次离子质谱和飞行时间二次离子质谱研究
机译:评估冷冻干燥过程中过程中水蒸气质量通量的可调谐二极管激光吸收光谱。
机译:二次离子质谱法对SiGe,SiON和超低能B注入的Si的非常规掺杂剂,杂质和化学计量学表征
机译:半极性(2021)蓝色和绿色InGaN基激光二极管的应力工程。
机译:利用2.3μm二极管激光器的多梳状光反馈腔增强吸收光谱对SF6分解组分CO的高灵敏度和精确分析
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机译:用于激光二极管应用的GaN,InGaN和GaN / InGaN量子阱结构的mBE生长和性质