机译:离子束溅射CoFeB / MgO双层界面的X射线反射率研究
Department of Physics, Thin Film Laboratory, Indian Institute of Technology Delhi, New Delhi 110016,India;
Department of Physics, Thin Film Laboratory, Indian Institute of Technology Delhi, New Delhi 110016,India;
Department of Physics, Thin Film Laboratory, Indian Institute of Technology Delhi, New Delhi 110016,India;
机译:界面对离子束溅射Si / CoFeB / MgO和Si / MgO / CoFeB双层Co_(20)Fe_(60)B_(20)磁性的影响
机译:勘误表:“离子束溅射Si / CoFeB(8)/ MgO(4)/ CoFeB(8)/ Ta(5)结构中的磁化动力学和界面研究” [J.应用物理115,17D127(2014)]
机译:离子束溅射Si / CoFeB(8)/ MgO(4)/ CoFeB(8)/ Ta(5)结构中的磁化动力学和界面研究
机译:钽包覆层离子束辅助沉积CoFeB / MgO / CoFeB磁性隧道结的透射电镜研究
机译:通过分子能级相互作用的分子束外延研究了解薄膜形成,以便将沉积工艺条件与2种材料(MgO和Cs3sb)的器件性能联系起来
机译:发布者校正:Ta / CoFeB / MgO异质结构中Ta / CoFeB界面混合对自旋霍尔角的影响
机译:X射线光电子能谱法分析MgO / CoFeB双层中硼的扩散深度