机译:n型和p型[100],[110]和[111]取向的Si纳米线晶体管中受声子限制的有效低场迁移率
Network for Computational Nanotechnology, Purdue University, 207 South Martin Jischke Drive,West Lafayette, Indiana 47907, USA;
机译:改进分裂电容电压法提取(100)取向绝缘体上硅衬底上的硅栅-AII- [100]-和[110]-定向纳米线金属氧化物-半导体场效应晶体管中的电子迁移率
机译:最高硅厚度对(110)取向绝缘体上超薄体n型金属氧化物半导体场效应晶体管中声子限制电子迁移率的影响
机译:p型[110]和[111]硅纳米线的横截面缩放比例大幅度提高了空穴速度和迁移率:一种原子分析
机译:n型和p型SOI无结纳米线晶体管的有效迁移率分析
机译:硅(111)和硅(100)上的铅的理论研究,氢钝化硅纳米线的整体研究以及钼的高度局部化准原子最小基础轨道的构建。
机译:基于〈111〉〈100〉和〈110〉定向GaAs的IMPATT二极管:比较研究以寻找毫米波大气窗口的最佳方向
机译:通过横截面缩放的p型110和111硅纳米线的孔速度和迁移率的大大提高:原子分析
机译:n型和p型假晶调制掺杂场效应晶体管的能带结构和电荷控制研究