机译:CoFe / MgO触点的界面电阻对硅中自旋积累的影响
Corporate Research & Development Center, Toshiba Corporation, 1, Komukai-Toshiba-cho, 212-8582 Kawasaki, Japan;
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Department of Electronics, Kyushu University, 744 Motooka, 819-0395 Fukuoka, Japan;
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机译:CoFe / MgO触点的界面电阻对硅中自旋积累的影响
机译:使用CoFe / MgO / Si和CoFe / AlO_x / Si隧道接触以及通过自由基氧退火制备的高质量隧道势垒的Si通道中的自旋累积
机译:CoFe / MgO隧道接触中的热自旋注入和累积,通过塞贝克自旋隧穿与n型Si接触
机译:使用CoFe / MgO / Si自旋注入器分析Si通道中的自旋累积
机译:使用脉冲电检测磁共振研究(111)取向的磷掺杂晶体硅与二氧化硅界面处的自旋相关跃迁和自旋相干性。
机译:CoFe / MgO / n型Ge触点中的热自旋注入和累积
机译:CoFe / mgO隧道中的热自旋注入和积累与 n型si通过塞贝克自旋隧穿
机译:铜硅界面上的热接触电阻