机译:对单极开关Ni / HfO_2 / TiN电阻型随机存取存储设备中镍丝形成的见解
IMEC, Kapeldreef 75, Leuven B-3001, Belgium,Department of Electrical Engineering, Katholieke Universteit Leuven, Leuven B-3001, Belgium;
IMEC, Kapeldreef 75, Leuven B-3001, Belgium,PLASMANT, University of Antwerp, Antwerpen B-2610, Belgium;
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IMEC, Kapeldreef 75, Leuven B-3001, Belgium,Department of Electrical Engineering, Katholieke Universteit Leuven, Leuven B-3001, Belgium;
IMEC, Kapeldreef 75, Leuven B-3001, Belgium,Department of Electrical Engineering, Katholieke Universteit Leuven, Leuven B-3001, Belgium;
机译:对单极开关Ni / HfO2 / TiN电阻型随机存取存储设备中镍丝形成的见解
机译:Ti / Hf / HfO_2 / Au电阻随机存取存储器件的电阻切换特性的Hf层厚度依赖性
机译:Al局部掺杂的HfO_2电阻随机存取存储器件中的良好控制的多个电阻开关状态
机译:超尺寸HFO_2电阻随机存取存储器中导电灯丝形成的扩展透视与可靠性
机译:具有多级电阻状态的基于氧化物的电阻式随机存取存储装置的理解和应用
机译:通过批量原子层沉积处理的基于HfO2的集成式1晶体管1电阻阻性随机存取存储器的材料见解
机译:基于HFO2的集成1晶体管-1电阻器电阻随机存取存储器的材料见解,由批量原子层沉积处理
机译:原子层沉积(aLD) - 沉积二氧化钛(TiO2)厚度对Zr40Cu35al15Ni10(ZCaN)/ TiO2 /铟(In)基电阻随机存取存储器(RRam)结构性能的影响。