机译:通过化学气相沉积法生长的Si / SiGe谐振带间隧道二极管中的5.2峰谷比高
Department of Electrical and Computer Engineering, The Ohio State University, Columbus, Ohio 43210, USA;
Department of Electrical and Computer Engineering, The Ohio State University, Columbus, Ohio 43210, USA;
Interuniversity Microelectronics Center (IMEC vzw), Kapeldreef 75, B-3001 Leuven, Belgium;
机译:化学气相沉积生长的Si / SiGe共振带间隧穿二极管的硼δ掺杂依赖性
机译:Si / SiGe谐振带间隧穿二极管,结合了通过化学气相沉积法生长的$ delta $掺杂层
机译:通过金属有机气相外延生长具有高峰值电流密度和大峰谷比的InP基谐振隧穿二极管
机译:针对高峰谷电流比而优化的200mm CVD生长的Si / SiGe谐振带间隧道二极管
机译:共振隧穿和带内隧穿二极管中电子传输的NEGF模拟
机译:通过超高真空化学气相沉积法生长的Si / SiGe量子阱中的阱间耦合效应
机译:硼三角洲掺杂对化学气相沉积生长的si / siGe谐振带间隧穿二极管的依赖性