机译:极化场在氮化物基发光二极管中俄歇效应效率下降中的作用
Technion - Israel Institute of Technology, Haifa 32000, Israel;
Ioffe Physical-Technical Institute, Russian Academy of Sciences, 194021 St. Petersburg, Russia;
Technion - Israel Institute of Technology, Haifa 32000, Israel;
Naval Research Laboratory, Washington, DC 20375, USA;
机译:极化场在氮化物基发光二极管中俄歇效应效率下降中的作用
机译:通过阻挡层中的Mg掺杂降低InGaN基绿色发光二极管的效率下降和极化场的修改
机译:氮化物发光二极管效率下降中极化场和俄歇复合的相互作用
机译:极化掺杂的基于InGaN的蓝色发光二极管,降低了效率下降
机译:iii-v氮化物基发光二极管的峰值辐射效率和电子漂移引起的效率下降。
机译:有效抑制GaN基发光二极管的效率下降:显着降低载流子密度和内置场的作用
机译:效率下垂,正向电压,理想因子和波长偏移在极化匹配的GAINN / GAINN多量子阱发光二极管中的效率下垂,正向电压,理想因子和波长偏移