机译:效率下垂,正向电压,理想因子和波长偏移在极化匹配的GAINN / GAINN多量子阱发光二极管中的效率下垂,正向电压,理想因子和波长偏移
机译:偏振匹配的GalnN / GalnN多量子阱发光二极管的效率下降,正向电压,理想因数和波长偏移的减少
机译:通过将高注入的发生与效率下降的发生相关联来确定GaInN发光二极管效率下降的原因
机译:极化匹配的GalnN / AIGalnN多量子阱发光二极管,降低了效率下垂
机译:S6-G4:GaInN发光二极管的高注入和高效率下降
机译:极化匹配的基于GaInN的发光二极管的效率和载流子传输
机译:有效抑制GaN基发光二极管的效率下降:显着降低载流子密度和内置场的作用
机译:GAINN / GAINN多量子孔发光二极管的生长和特征