氮化物耦合量子阱中的二次谐波产生极化率:压电与自发极化效应

张立

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氮化物耦合量子阱中的二次谐波产生极化率:压电与自发极化效应

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理论考察了存在强内建电场的纤锌矿GaN/InxGa1-xN耦合量子阱体系的二次谐波产生(SHG)特性,结果发现共振SHG系数达到了10-7m/V的量级,SHG系数对耦合量子阱的结构与掺杂组份呈现非单调的依赖关系.结果还表明,通过选择小尺寸垒宽与大尺寸阱宽的耦合量子阱,并适当降低掺杂组份,可在氮化物耦合量子阱中获得较强的SHG极化率.

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来源
《红外与毫米波学报》|2007年第4期|251-255|共5页
作者
张立;
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作者单位

广州番禺职业技术学院,电子与机械系,广州,番禺,511483;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类量子光学;
关键词
密度矩阵方法; 氮化物耦合量子阱; 内建电场; 二次谐振波产生;
入库时间 2023-07-25 20:02:34

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