一种具有补偿极化效应的量子阱结构

摘要

本发明提供一种具有补偿极化效应的量子阱结构，包括由GaN基半导体化合物构成的多量子阱有源层；两个位于所述有源层两侧具有比有源层更高的导带能量和更低的价带能量的势垒层；其特征在于所述有源层的导带能量逐渐减小，价带能量逐渐增加。该结构的量子阱在施加驱动电压时可以补偿由于极化场产生的载流子分布不均匀现象，从而提高了电子和空穴的复合率，提高发光强度。