摘要
第一章 绪论
1.1 Ⅲ族氮化物半导体材料的性质
1.1.1 晶体结构
1.1.2 异质结
1.2 量子阱
1.2.1 量子阱的概念
1.2.2 GaN/AlGaN量子阱
1.3 量子阱中的激子理论
1.3.1 激子的概念
1.3.2 量子阱中的激子态
第二章 闪锌矿GaN/AlGaN量子阱中激子态和光学性质的激光场效应
2.1 研究背景
2.2 理论模型
2.3 计算结果分析与讨论
2.4 小结
第三章 静水压力和激光场对GaAs/AlGaAs量子阱中激子态的光学性质的竞争效应
3.1 研究背景
3.2 理论模型
3.3 计算结果分析与讨论
3.4 小结
第四章 闪锌矿GaN/AlGaN量子阱中激子态和光学性质的激光场和电场的竞争效应
4.1 研究背景
4.2 理论模型
4.3 计算结果分析与讨论
4.4 小结
第五章 结论
参考文献
致谢
攻读硕士学位期间的研究成果
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