机译:由于电荷和自旋缺陷而导致Si单重态-三重态量子位的相移
ICQD, Hefei National Laboratory for Physical Sciences at the Microscale, University of Science and Technology of China, Hefei, Anhui 230026, China,School of Physics, The University of New South Wales, Sydney 2052, Australia;
National Institute of Standards and Technology, Gaithersburg, Maryland 20899, USA;
机译:电荷噪声,自旋轨道耦合和单旋量子位的相移
机译:电荷噪声,自旋轨道耦合和单旋量子位的相移
机译:磁场下电容耦合单次三联旋转Qubits中的电荷噪声抑制
机译:在存在电荷陷阱的情况下对电荷量子位进行相移
机译:Si / SiGe双量子点中的单重态-三重态电子自旋量子位。
机译:集成式硅量子比特平台具有单轴寻址能力交换控制和单脉冲单重态-三重态读数
机译:由于电荷和自旋缺陷导致si单重态 - 三重态量子位的失相