机译:具有非均匀沟道掺杂的平面无结晶体管
Department of Electrical Engineering, Indian Institute of Technology Kanpur, Kanpur 208016, India;
Department of Electrical Engineering, Indian Institute of Technology Kanpur, Kanpur 208016, India,Microelectronics Research Center, 10100 Burnet Road, Bldg. 160, University of Texas at Austin, Austin, Texas 78758, USA;
Department of Electrical Engineering, Indian Institute of Technology Kanpur, Kanpur 208016, India;
机译:非均匀掺杂对无结晶体管的影响
机译:具有重掺杂多晶硅纳米线通道的全能门无结晶体管
机译:平面连接晶体管中的沟道厚度依赖性迁移率劣化
机译:铁电HfO
机译:III-V多栅极非平面沟道晶体管仿真和技术。
机译:印刷电解质门的定制阈值电压氧化铟通道的铬掺杂产生的场效应晶体管
机译:用于低成本生物传感器的原位掺杂无结多晶硅纳米线场效应晶体管
机译:具有0.25微米栅极假晶入(0.60)Ga(0.40)as / In(0.52)al(0.48)as / Inp调制掺杂场效应晶体管的单片集成平面前端光接收器