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机译:图案化的硅基板:室温GaN和ZnO极化激光的通用平台
CRHEA-CNRS, Rue Bernard Gregory, 06560 Valbonne, France;
Institut Pascal, PHOTON-N2, Clermont Universite, CNRS and Universite Blaise Pascal, 24 Avenue des Landais, 63177 Aubiere cedex, France;
Laboratoire Charles Coulomb, UMR 5221, CNRS, Universite de Montpellier 2, 34095 Montpellier, France;
CRHEA-CNRS, Rue Bernard Gregory, 06560 Valbonne, France;
LPN-CNRS, Route de Nozay, 91460 Marcoussis, France;
Laboratoire Charles Coulomb, UMR 5221, CNRS, Universite de Montpellier 2, 34095 Montpellier, France;
Institut Pascal, PHOTON-N2, Clermont Universite, CNRS and Universite Blaise Pascal, 24 Avenue des Landais, 63177 Aubiere cedex, France;
CRHEA-CNRS, Rue Bernard Gregory, 06560 Valbonne, France;
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Laboratoire Charles Coulomb, UMR 5221, CNRS, Universite de Montpellier 2, 34095 Montpellier, France;
Institut Pascal, PHOTON-N2, Clermont Universite, CNRS and Universite Blaise Pascal, 24 Avenue des Landais, 63177 Aubiere cedex, France;
LPN-CNRS, Route de Nozay, 91460 Marcoussis, France;
CRHEA-CNRS, Rue Bernard Gregory, 06560 Valbonne, France;
Institut Pascal, PHOTON-N2, Clermont Universite, CNRS and Universite Blaise Pascal, 24 Avenue des Landais, 63177 Aubiere cedex, France;
CRHEA-CNRS, Rue Bernard Gregory, 06560 Valbonne, France;
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机译:宽带隙半导体基表面发射激光器:基于GaN的垂直腔表面发射激光器和基于GaN / ZnO的极化子激光器的最新进展
机译:在硅衬底上生长的光激发GaN中多个波段的室温激光作用
机译:通过分子束外延在图案化硅上GaN衬底上GaN的横向外延过生长
机译:ZnO种子退火温度对GaN / Al_2O_3基板上ZnO纳米棒阵列合成的影响
机译:飞秒脉冲激光烧蚀和硅衬底上用于MEMS制造的3C碳化硅膜的图案化。
机译:等温GaN覆盖层对硅衬底上绿色发光二极管的InGaN / GaN多量子阱的影响
机译:图案化的硅基板:室温GaN和ZnO极化激光的通用平台