机译:低温生长的砷化镓中的皮秒自旋弛豫
Department of Applied Physics, Waseda University, Tokyo 169-8555, Japan;
Department of Applied Physics, Waseda University, Tokyo 169-8555, Japan;
Department of Applied Physics, Waseda University, Tokyo 169-8555, Japan;
Suzhou Institute of Nano-Tech and Nano-Bionics, Chinese Academy of Science, Suzhou, China;
Suzhou Institute of Nano-Tech and Nano-Bionics, Chinese Academy of Science, Suzhou, China;
Department of Applied Physics, Waseda University, Tokyo 169-8555, Japan;
机译:低温生长的砷化镓中的皮秒自旋弛豫
机译:皮秒电子自旋弛豫n GaAs / AlGaAs量子阱和InaAs / InP量子阱
机译:通过时间分辨自旋相关泵和探针反射测量观察InGaAsP中皮秒电子自旋弛豫
机译:作为高自旋极化电子源的GaAs / GaAsP应变补偿超晶格中的一百皮秒自旋弛豫
机译:纤锌矿型半导电镉(1-X)锰(X)硒化物的稳态和稳态光谱(能量弛豫,自旋)。
机译:GaAs / AlGaAs量子阱中自旋弛豫的温度和电子密度依赖性
机译:基于低温生长的外延Gaas薄膜的大动态范围,皮秒分辨率辐射检测
机译:基于低温生长的外延Gaas薄膜的大动态范围,皮秒分辨率辐射检测