机译:应变InGaAs三元合金中带能的组成弓形及其变形势:第一性原理研究
Integrated Systems Laboratory, Department of Information Technology and Electrical Engineering, ETH Zurich, Gloriastrasse 35, 8092 Zurich, Switzerland;
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机译:高应变InGaAs / GaAs量子阱的弯曲参数的成分依赖性
机译:通过采用新的非线性插值方案,在松弛和应变的Si(1-x)Ge_x合金中带隙弯曲和带偏移
机译:与GaN晶格匹配的Sc_xAl_yGa_(1-x-y)N合金的自发极化和带隙弯曲的第一性原理研究
机译:电子频带结构的第一原理研究和三元合金Ga_Xin_(1-x)p的有效质量
机译:通过扩展的X射线吸收精细结构(EXAFS)和反射高能电子能量损失谱(RHEELS)研究II-VI基三元合金的局部结构。
机译:GaP1-xBix稀铋化物合金中的带隙和自旋轨道分裂能的巨大弯曲
机译:带能量的成分弯曲及其变形势 在应变的InGaas三元合金中:第一原理研究
机译:n型InGaas / Gaas应变单量子阱的带隙能量和导带质量的压力依赖性