机译:基于氧化铈的随机存取存储器的特性和机理研究
Microelectronics Research Center, The University of Texas at Austin, 10100 Burnet Rd. Bldg, 160, Austin, Texas 78758, USA;
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机译:基于氧化硅的电阻随机存取存储器的特性和机理
机译:扫描透射X射线显微镜探针用于基于氧化石墨烯的电阻随机存取存储器的原位机理研究
机译:不同电极材料的HFO2电阻随机存取存储器件的电阻切换机构和整流特性研究
机译:Cu / SiO_x / TiN结构电阻随机存取存储器的电阻转换特性及机理研究
机译:界面上电极层对基于氧化铌的电阻型随机存取存储器性能的影响
机译:基于氧化物的电阻随机存取存储器中的物理和化学机制
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机译:sEU(单事件翻转)容忍存储器单元源自sRam中的sEU机制的基础研究(静态随机存取存储器)