机译:具有掺杂通道和注入触点的顶栅有机耗尽和反相晶体管
Institut fuer Angewandte Photophysik, Technische Universitaet Dresden, George-Baehr-Strasse 1, 01069 Dresden, Germany;
Institut fuer Angewandte Photophysik, Technische Universitaet Dresden, George-Baehr-Strasse 1, 01069 Dresden, Germany;
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机译:在反转和耗尽状态下工作的掺杂有机晶体管
机译:在反转和耗尽状态下工作的掺杂有机晶体管
机译:顶部栅极交错的有机薄膜晶体管的接触长度相关接触电阻
机译:空穴注入层对基于可溶性苯并噻吩并苯并噻吩衍生物的顶部栅极有机场效应晶体管的影响
机译:基于N沟道InGaAsP-InP的倒置通道技术器件(ICT)的设计,制造和表征,用于光电集成电路(OEIC):双异质结光电开关(DOES),异质结场效应晶体管(HFET),双极倒置沟道场-效应晶体管(BICFET)和双极型反向沟道光电晶体管(BICPT)。
机译:在反转和耗尽状态下工作的掺杂有机晶体管
机译:掺杂有机晶体管在反转和耗尽状态下操作