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机译:关于异质结构发射极双极晶体管的AlGaInP体和AlGaInP / GaAs超晶格的限制效应
Department of Electronic Engineering, National Kaohsiung Normal University, 116 Ho-ping 1st Road, Kaohsiung 802, Taiwan;
机译:GaInP / GaAs异质结发射极双极晶体管与异质结双极晶体管的比较
机译:Al0.2Ga0.3In0.5P / Al0.1Ga0.4In0.5P / InGaP / GaAs三重异质结构发射极双极晶体管
机译:INP / INGAAS异质结-电发射隧道法和超晶格双极晶体管的比较研究
机译:InP / InGaAs pnp异质结发射极双极晶体管(HEBT)的特性
机译:在异质结双极晶体管的应变硅锗纳米层中研究碳分布,以增强硼的含量并改善载流子的传输。
机译:电化学传感器中场效应晶体管和双极结晶体管作为传感器的比较
机译:高效率,低失调电压InGap / Gaas功率异质结构 - 发射极双极晶体管,具有先进的热管理功能
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