机译:在InGaAs / GaAs变质缓冲液上从MOVPE生长的InAs量子点以1.55μm的单光子发射
Institut fur Halbleiteroptik und Funktionelle Grenzflaechen, Center for Integrated Quantum Science and Technology (IQST) and SCoPE, University of Stuttgart, Allmandring 3, 70569 Stuttgart, Germany;
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机译:InGaAs变质缓冲层上生长的长波长InAs量子点
机译:InGaAs变质缓冲层上生长的长波长InAs量子点
机译:使用GaAsSb变质缓冲层在GaAs衬底上生长的1.55μmInAs量子点
机译:将InGaAs和Gaassb变质缓冲层对GaAs底物进行了inaS量子点,其在1.55μm下发射
机译:Igaas量子点的相干壮观= koh?怨恨不同的区别和Ingaas Pollarts
机译:1.3-1.55μm窗口中变质InAs / InGaAs量子点的带间光电导
机译:在1.3-1.55-μm窗口中的变质INAS / INGAAS量子点的间带光电导性