机译:GaN表面是InGaN / GaN量子阱中非辐射缺陷的来源
Ecole Polytech Fed Lausanne, Inst Phys, CH-1015 Lausanne, Switzerland;
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机译:掩埋InGaN底层中的非辐射缺陷以提高InGaN / GaN量子阱效率
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机译:掺杂剂和杂质对针孔形成的作用; Ingan / GaN和AlGaN / GaN量子井形成的缺陷
机译:极性InGaN / GaN量子阱结构的光学研究
机译:混合N2 / H2生长GaN势垒的InGaN / GaN多量子阱的表面形貌演化机理。
机译:GaN缓冲增长温度和Ingan / GaN量子阱的效率:氮空位在GaN表面的关键作用